Taille: env. 60 * 23mm
Tension de charge: 21 V
transistor hx1607 ou hx1606.
Valeur de pression de charge MOS: 35 V
Valeur de pression de décharge MOS: 35 V
Courant de charge: 56 A
Courant de décharge continu: 15 A
Protection contre les surintensités: 50/55/60 A
Protection contre les surintensités: 20/25 / 30mS
Section unique depuis la consommation électrique: 30uA
Seule section entre la consommation d'énergie: 3uA
Section unique sur la tension de détection de charge: 4.18- /4.22V
Surcharge de tension de récupération 4.05 - 4.15 V
Délais de détection de surcharge: 0.5 / 1.0 / 2.0S
Tension de détection de décharge sur une seule section: 2,75-2,85 V
Tension de récupération après décharge: 2,90-3,20 V
Délais de détection de décharge: 0.5-2.0S
Récupération de la protection contre les courts-circuits / surintensité / court-circuit / sur décharge / protection contre les surintensités après le retrait de la récupération automatique de la charge
Délai de protection contre les courts-circuits 200/500 / 600uS
L'état de fonctionnement normal de la résistance B à P: 5 mO
Hausse actuelle de la température maximale continue de 15 A: 25?
Environnement de travail (humidité) humidité relative: = 98% (stabilité à long terme sous l'humidité)
Environnement de travail (température) -30 ~ 80? (Dans la plage de température la plus basse de la stabilité à long terme)