LCR-T4 ESR Medidor de transistores Diodo de prueba Diodo

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Con este dispositivo, podrá detectar automáticamente transistores NPN y PNP, MOSFET de canal n y canal p, diodos, tiristores, resistencias, condensadores y muchos otros componentes. También es posible medir ciertas características de estos dispositivos como, por ejemplo, el factor de amplificación de corriente de BJT o la tensión de umbral de puerta de un MOSFET y mucho más.

Funciones
Detección automática de transistores NPN y PNP, MOSFET de canal n y canal p, diodos (incluyendo diodo doble), tiristores, resistencias y condensadores y otros componentes
Prueba automática de los pines de un componente y visualización en la pantalla LCD
Detección del transistor, coeficiente de amplificación del diodo de protección MOSFET y la base para determinar la tensión polarizada directa del transistor del emisor
Medición de la tensión de umbral de la compuerta y la capacitancia de la compuerta del MOSFET.
Medición simultánea de la de dos resistencias mientras se muestra el símbolo de la resistencia
Medición de un solo diodo de capacitancia inversa.
Mediciones de capacitancia, resolución 1 pF.
Identificación de los transistores Darlington a través de la tensión de umbral del emisor de base y el factor de amplificación de corriente
Medición del factor de amplificación de la corriente del transistor bipolar y la tensión de umbral del emisor de base
Pantalla LCD de 16 caracteres x 2 líneas (12864 LCD con luz de fondo verde)
Rangos de prueba
Resistencia: Max 50 MΩ, resolución 0.1 Ω
Capacidad: 25 pF - 100000 µF
Inductancia: 0.01 mH - 20 H
Presupuesto
Operación con un solo botón
Apagado automático para mejorar la duración de la batería
Corriente de apagado inferior a 20 nA

5053Z
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